步非烟 足交 三星电子在3D NAND闪存出产中终了技能打破，光刻胶用量减半
发布日期：2024-11-29 12:43 点击次数：96
【群众网科技详尽报谈】11月26日音讯，三星电子在3D NAND闪存出产范围取得了紧要技能打破，奏凯将光刻胶（PR）的使用量减半步非烟 足交，这一鼎新瞻望将权贵提高出产后果并大幅镌汰资本。
据韩媒The Elec报谈，三星电子通过精准罢休涂布机的转速（rpm）和优化PR涂层后的蚀刻工艺，将每层涂层所需的光刻胶用量从7-8cc镌汰至4-4.5cc。此外，三星袭取了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，使得一次性造成多个层成为可能，进一步提高了工艺后果。
可是，更厚的光刻胶也带来了出产中的挑战。由于光刻胶的高粘度特点，可能会导致涂层均匀性问题。为了惩办这一问题，三星电子与长期合营伙伴东进半导体化学公司自2013年起就密切合营，共同研发高性能光刻胶。东进半导体化学公司一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND提供了关键材料。
音讯称，从第9代3D NAND运行，三星将全面利用这项新技能。这一鼎新举措瞻望将为三星省俭每年数十亿韩元的资本。但这也意味着东进半导体化学公司将濒临来自三星的订单减少。东进半导体化学公司当今每年从光刻胶业务中取得约2500亿韩元收入步非烟 足交，其中60%来自三星。（鱼七）